| 型号： | BUB323ZT4G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| BUB323ZT4G PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 350V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.7V @ 250mA，10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 500 @ 5A，4.6V |
| 功率 - 最大 | 150W |
| 频率 - 转换 | 2MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | BUB323ZT4GOSCT |